交通大學電子工程系教授荊鳳德團隊，
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，找出超低功耗、快速提升電晶體及單電晶體動態隨機存取記憶體的技術，
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，未來行動裝置10天充1次電的夢想，
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，可望實現。
這項研究成果，
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，刊登在2014年IEEE Newsletter通訊季刊封面故事，
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，團隊更受邀發表「節能電子元件的趨勢」技術簡介。
荊鳳德教授說，
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，交大找到超低功耗節能電子元件，
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，將減低未來積體電路耗用功率達10倍之多，
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，達到節能減碳效益，進而改善人類生活方式。
荊鳳德說，依國際技術藍圖所示，新型「鰭狀電晶體」的微縮在2016年7奈米時製程時，將遇到瓶頸，因為電晶體的電性通道長度只有3—4奈米，因此，必須發明超越鰭狀電晶體的電晶體。
荊鳳德研究團隊研發鍺電晶體，以鍺取代傳統矽，作為傳導材料，擁有較矽電晶體遷移率高2.6倍的優勢，他說，鍺電晶體可使未來的電晶體工作電壓從目前0.7伏，降到0.35伏，功率改善及節能減碳效果達4倍；較Intel的砷化銦鎵電晶體效果更佳，製程更簡化，既降低低成本，良率也能大幅提升。，